JIS H0612-1975 硅单晶片电阻率的测定方法.四探针法
作者:标准资料网 时间:2024-05-08 14:07:20 浏览:8901
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【英文标准名称】:Testingmethodsofresistivityforsinglecrystalsiliconwaferswithfourpointprobe
【原文标准名称】:硅单晶片电阻率的测定方法.四探针法
【标准号】:JISH0612-1975
【标准状态】:作废
【国别】:日本
【发布日期】:1975-03-01
【实施或试行日期】:1975-03-01
【发布单位】:日本工业标准调查会(JISC)
【起草单位】:Electricity
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;材料的电学性质;单;晶体;量;准金属;试验;衬底(绝缘);膜(物态);薄膜
【英文主题词】:testing;electricalpropertiesofmaterials;single;quantity;crystalsthinfilms;
【摘要】:
【中国标准分类号】:H21
【国际标准分类号】:
【页数】:6P;A4
【正文语种】:日语
【原文标准名称】:硅单晶片电阻率的测定方法.四探针法
【标准号】:JISH0612-1975
【标准状态】:作废
【国别】:日本
【发布日期】:1975-03-01
【实施或试行日期】:1975-03-01
【发布单位】:日本工业标准调查会(JISC)
【起草单位】:Electricity
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;材料的电学性质;单;晶体;量;准金属;试验;衬底(绝缘);膜(物态);薄膜
【英文主题词】:testing;electricalpropertiesofmaterials;single;quantity;crystalsthinfilms;
【摘要】:
【中国标准分类号】:H21
【国际标准分类号】:
【页数】:6P;A4
【正文语种】:日语
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